- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPB054N06N3 G
IPB054N06N3 G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB054N06N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 61.498 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت IPB054N06N3 G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB054N06N3 G
- Power Dissipation (Pd): 115W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@58uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ@10V,80A
- Package: TO-263
- Manufacturer: Infineon Technologies
